除了IGBT這樣的硅基功率半導(dǎo)體,再一個(gè)更火熱的領(lǐng)域是第三代功率半導(dǎo)體。第三代半導(dǎo)體具有高效率、低能耗、散熱快等特性,是5G、低軌衛(wèi)星、高速運(yùn)算、電動(dòng)車(chē)等當(dāng)紅應(yīng)用必備的零組件。據(jù)TrendForce指出,碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)在電動(dòng)汽車(chē)(EV)和快充電池市場(chǎng)具有相當(dāng)大的發(fā)展?jié)摿ΑnA(yù)計(jì)第三代功率半導(dǎo)體的產(chǎn)值,將從 2021 年的 9.8 億美元、增長(zhǎng)到 2025 年的 47.1億美元年復(fù)合增長(zhǎng)率(CAGR)為48% 。
因此,第三代半導(dǎo)體的優(yōu)勢(shì)對(duì)諸多供應(yīng)鏈的廠商有極大的吸引力,不僅吸引了包括臺(tái)積電、聯(lián)電、世界先進(jìn)、東部高科在內(nèi)的各大代工廠的加入,硅晶圓全球第三的環(huán)球晶也開(kāi)始生產(chǎn)少量的SiC晶片。代工廠大多是布局在GaN領(lǐng)域,主要因GaN技術(shù)跟代工廠的設(shè)備相容度達(dá)9成以上,且GaN有機(jī)會(huì)轉(zhuǎn)到8英寸廠投片。
除此之外,芯片設(shè)計(jì)廠商也在開(kāi)始加入。本月23日,全球電源芯片龍頭臺(tái)達(dá)電宣布,斥資3.2億元成立碇基半導(dǎo)體籌備處,發(fā)力第三代半導(dǎo)體,據(jù)了解,碇基半導(dǎo)體初期鎖定600V電源供應(yīng)器等產(chǎn)品。臺(tái)達(dá)電表示,將先成立碇基半導(dǎo)體,進(jìn)入先端電源技術(shù)與第三代半導(dǎo)體的研究開(kāi)發(fā)與相關(guān)產(chǎn)品生產(chǎn)與銷(xiāo)售,臺(tái)達(dá)電內(nèi)部已有團(tuán)隊(duì)研究第三代半導(dǎo)體多年,也有很多相關(guān)產(chǎn)品。未來(lái)希望藉由掌握上游端設(shè)計(jì),提供關(guān)鍵半導(dǎo)體零組件,掌握第三代半導(dǎo)體應(yīng)用趨勢(shì),未來(lái)不排除引進(jìn)半導(dǎo)體相關(guān)策略合作伙伴加入。
國(guó)內(nèi)大陸方面,三代半導(dǎo)體的投融資仍舊比較熱鬧。5月20日,華潤(rùn)微電子收購(gòu)第三代半導(dǎo)體廠商大連芯冠科技有限公司34.5625%股份,同時(shí)后者更名為潤(rùn)新微電子(大連)有限公司,據(jù)介紹,該公司已建成首條6英寸硅基GaN外延及功率器件晶圓生產(chǎn)線,華潤(rùn)微也因此入局GaN領(lǐng)域。
6月8日,功率半導(dǎo)體器件代工廠商寬能半導(dǎo)體完成超2億元天使輪融資,其首條產(chǎn)線落地南京,目前正在建設(shè)中,建成后將是國(guó)內(nèi)最大的碳化硅半導(dǎo)體晶圓廠。6月18日左右,晶越半導(dǎo)體完成新一輪融資,主要產(chǎn)品為六英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底晶片。6月20日,杭州譜析光晶獲數(shù)千萬(wàn)元preA輪融資,生產(chǎn)碳化硅驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)及模組,應(yīng)用在電動(dòng)汽車(chē)電控模組等超高可靠性要求領(lǐng)域。
整車(chē)廠也在積極發(fā)力第三代功率半導(dǎo)體,近日,理想汽車(chē)的功率半導(dǎo)體項(xiàng)目生產(chǎn)基地已落戶(hù)蘇州,由理想汽車(chē)與三安光電共同出資組建蘇州斯科半導(dǎo)體公司,主要專(zhuān)注于第三代半導(dǎo)體碳化硅車(chē)規(guī)芯片模組的研發(fā)及生產(chǎn)。將于2022年6月中旬啟動(dòng)廠房建設(shè),預(yù)計(jì)2023年5月啟動(dòng)樣品試制,2024年正式投產(chǎn)后,將逐步形成年產(chǎn)240萬(wàn)只半橋生產(chǎn)能力。