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    半導體是怎樣被發(fā)現(xiàn)

    發(fā)布日期:2022-08-03 14:56:29   瀏覽量 :2787
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    半導體的發(fā)現(xiàn)實際上可以追溯到很久以前。 1833年,英國科學家電子學之父法拉第最先發(fā)現(xiàn)硫化銀的電阻隨著溫度的變化情況不同于一般金屬,一般情況下,金屬的電阻隨溫度升高而增加,但法拉第發(fā)現(xiàn)硫化銀材料的電阻是隨著溫度的上升而降低。這是半導體現(xiàn)象的首次發(fā)現(xiàn)。 [3] 不久,1839年法國的貝克萊爾發(fā)現(xiàn)半導體和電解質接觸形成的結,在光照下會產生一個電壓,這就是后來人們熟知的光生伏特效應,這是被發(fā)現(xiàn)的半導體的第二個特性。 [3] 1873年,英國的史密斯發(fā)現(xiàn)硒晶體材料在光照下電導增加的光電導效應,這是半導體的第三種特性。 [3] 在1874年,德國的布勞恩觀察到某些硫化物的電導與所加電場的方向有關,即它的導電有方向性,在它兩端加一個正向電壓,它是導通的;如果把電壓極性反過來,它就不導電,這就是半導體的整流效應,也是半導體所特有的第四種特性。同年,舒斯特又發(fā)現(xiàn)了銅與氧化銅的整流效應。 [3] 半導體的這四個特性,雖在1880年以前就先后被發(fā)現(xiàn)了,但半導體這個名詞大概到1911年才被考尼白格和維斯首次使用。而總結出半導體的這四個特性一直到1947年12月才由貝爾實驗室完成。 [3] 2019年10月,一國際科研團隊稱與傳統(tǒng)霍爾測量中僅獲得3個參數(shù)相比,新技術在每個測試光強度下最多可獲得7個參數(shù):包括電子和空穴的遷移率;在光下的載荷子密度、重組壽命、電子、空穴和雙極性類型的擴散長度。

    效應
    半導體
    電子
    特性
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